首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

西门子CVD还原炉辐射换热数值模拟
引用本文:聂陟枫,谢刚,侯彦青,崔焱,李荣兴,宋东明.西门子CVD还原炉辐射换热数值模拟[J].人工晶体学报,2014,43(7):1774-1780.
作者姓名:聂陟枫  谢刚  侯彦青  崔焱  李荣兴  宋东明
作者单位:昆明理工大学冶金与能源工程学院,昆明,650093;昆明理工大学冶金与能源工程学院,昆明650093;昆明冶金研究院,昆明650031;昆明冶金研究院,昆明,650031;昆明冶研新材料股份有限公司,昆明,650031
基金项目:云南省应用基础研究计划项目(2013FZ155);国家自然科学基金(51374118,51204804)
摘    要:本文考虑包括热辐射在内的质量传递、动量传递、能量传递三维模型,利用流体力学计算软件,对12对棒西门子多晶硅CVD还原炉硅沉积过程的传热情况进行数值模拟.应用传热模型计算了实际还原过程的总能耗,并与实际生产运行测量值进行比较,相对误差为7.1;,表明传热模型准确可靠.基于DO离散坐标辐射模型,详细分析了硅棒与反应器壁间的辐射换热情况,探讨了硅棒生长过程中内、外环硅棒辐射能的变化趋势以及不同器壁发射率对还原炉内辐射能的影响.结果表明:辐射换热是硅沉积过程最主要的热量传递形式;外环硅棒的辐射能远大于内环硅棒的辐射能,并且外环硅棒的辐射能随硅棒直径的增大而增大;硅棒辐射能随着反应器壁材料发射率的增大而增大,并采用典型工况数据,计算了不同反应器壁材料发射率条件下的产品单位质量理论能耗.

关 键 词:辐射换热  CVD还原炉  多晶硅  数值模拟  改良西门子法  

Numerical Simulation of Radiation Exchange in Siemens CVD Reactor
NIE Zhi-feng,XIE Gang,HOU Yan-qing,CUI Yan,LI Rong-xing,SONG Dong-ming.Numerical Simulation of Radiation Exchange in Siemens CVD Reactor[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(7):1774-1780.
Authors:NIE Zhi-feng  XIE Gang  HOU Yan-qing  CUI Yan  LI Rong-xing  SONG Dong-ming
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号