| 单层密集ZnO纳米棒阻变器件的导电机制 |
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| 引用本文： | 王雪亮,徐建萍,石少波,张晓松,张旭光,赵相国,石鑫,李淑彬,李岚.单层密集ZnO纳米棒阻变器件的导电机制[J].发光学报,2015(7). |
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| 作者姓名： | 王雪亮 徐建萍 石少波 张晓松 张旭光 赵相国 石鑫 李淑彬 李岚 |
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| 作者单位： | 1. 天津理工大学 材料物理研究所，光电器件与显示材料教育部重点实验室，天津市光电显示材料与器件重点实验室，天津 300386
2. 天津职业技术师范大学 理学院,天津,300222 |
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| 基金项目： | 863国家高技术研究发展计划，天津市自然科学基金，国家重大仪器设备开发专项，天津市科技计划国际合作项目 |
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| 摘 要： | 制备了一种具有多级存储效应的密集ZnO纳米棒阵列阻变存储器件，借助I-V曲线和荧光光谱分析了器件的电流传导机制和阻变机制，发现器件在不同的电阻态下分别属于欧姆传导和空间电荷限制电流( SCLC)传导机制。正向电场作用使纳米棒表面耗尽区的氧空位V++密度增大，完善了电子传输的导电细丝通道，器件实现了由高阻态向低阻态的转变；在反向电压作用下，导电通道断裂，器件恢复到高阻态。
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| 关 键 词： | ZnO纳米棒 荧光光谱 氧空位 导电细丝通道 |
Current Conduction Mechanism of The Resistive Memory Device with Single-layered Dense ZnO Nanorod Arrays |
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| WANG Xue-liang,XU Jian-ping,SHI Shao-bo,ZHANG Xiao-song,ZHANG Xu-guang,ZHAO Xiang-guo,SHI Xin,LI Shu-bin,LI Lan.Current Conduction Mechanism of The Resistive Memory Device with Single-layered Dense ZnO Nanorod Arrays[J].Chinese Journal of Luminescence,2015(7). |
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| Authors: | WANG Xue-liang XU Jian-ping SHI Shao-bo ZHANG Xiao-song ZHANG Xu-guang ZHAO Xiang-guo SHI Xin LI Shu-bin LI Lan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO nanorods fluorescence spectra oxygen vacancies conductive paths |
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