| 磁随机存储器中垂直电流驱动的磁性隧道结自由层的磁化翻转 |
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| 引用本文： | 彭子龙,韩秀峰,赵素芬,魏红祥,杜关祥,詹文山.磁随机存储器中垂直电流驱动的磁性隧道结自由层的磁化翻转[J].物理学报,2006,55(2):860-864. |
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| 作者姓名： | 彭子龙 韩秀峰 赵素芬 魏红祥 杜关祥 詹文山 |
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| 作者单位： | 北京凝聚态物理国家实验室，中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室，北京 100080 |
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| 基金项目： | 中国科学院知识创新工程项目;科技部科研项目;国家自然科学基金;中国科学院资助项目 |
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| 摘 要： | 在基于磁性隧道结(Magnetic Tunneling Junction，MTJ)的磁随机存储器(Magnetoresistantive Random Access Memory，MRAM)中利用通过MTJ的垂直电流，实现信息写入的新方法，同时给出了基于此新方法的一种新的MRAM结构和驱动原理图，并分析了它的读和写操作的可行性具体过程.
关键词：
垂直电流
磁性隧道结
磁随机存储器
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| 关 键 词： | 垂直电流 磁性隧道结 磁随机存储器 |
| 文章编号： | 1000-3290/2006/55(02)/0860-05 |
| 收稿时间： | 05 17 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005-05-172005-06-29 |
Perpendicular current-driven magnetization switching in free layer of magnetic tunneling junctions and MRAM |
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| Peng Zi-Long,Han Xiu-Feng,Zhao Su-Fen,Wei Hong-Xiang,Du Guan-Xiang,Zhan Wen-Shan.Perpendicular current-driven magnetization switching in free layer of magnetic tunneling junctions and MRAM[J].Acta Physica Sinica,2006,55(2):860-864. |
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| Authors: | Peng Zi-Long Han Xiu-Feng Zhao Su-Fen Wei Hong-Xiang Du Guan-Xiang Zhan Wen-Shan |
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| Affiliation: | Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics National Key Laboratory for Magnetism, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences , Beijing 10080, China |
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| Abstract: | A new method of readout and writing process driven by perpendicular current in magnetoresistantive random access memory (MRAM) based on the magnetic tunneling junction is reported, and its schematic structure and operation are described. |
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| Keywords: | perpendicular current magnetic tunneling junction (MTJ) MRAM |
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