| 直流溅射缓冲层生长ZnO/Si薄膜 |
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| 引用本文： | 姚然,朱俊杰,段理,朱拉拉,傅竹西.直流溅射缓冲层生长ZnO/Si薄膜[J].人工晶体学报,2006,35(1):135-138. |
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| 作者姓名： | 姚然 朱俊杰 段理 朱拉拉 傅竹西 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系,合肥,230026 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(No.90201038No.50472009No.10474091) |
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| 摘 要： | ZnO是一种新兴的的宽禁带半导体材料,相对于传统的宽禁带材料有很多的优势.在相对成本低廉的Si衬底上生长ZnO薄膜是现在攻关的热门课题.目前用缓冲层方法生长ZnO薄膜取得了一些突破.本文利用直流溅射,先在Si衬底上溅射一层ZnO多晶薄膜,通过对直流溅射时间的控制,可以得到不同厚度的ZnO缓冲层.再利用MOCVD设备生长高质量的ZnO薄膜.通过研究发现,直流溅射ZnO薄膜的厚度对于最终的薄膜质量有很大的影响.随着缓冲层的引入,双晶衍射XRD的摇摆半宽有显著下降,并且随着最终ZnO薄膜质量上升,光致发光也有显著的提升.可见缓冲层的引入对ZnO/Si薄膜的质量和发光强度有很大的贡献.
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| 关 键 词： | 氧化锌 直流溅射 MOCVD 缓冲层 |
| 文章编号： | 1000-985X（2006）01-0135-04 |
| 收稿时间： | 2005-07-14 |
| 修稿时间： | 2005-07-14 |
Growth of ZnO Thin Films on Silicon Substrate with Sputtering Buffer Layer by LP-MOCVD |
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| YAO Ran,ZHU Jun-jie,DUAN Li,ZHU La-la,FU Zhu-xi.Growth of ZnO Thin Films on Silicon Substrate with Sputtering Buffer Layer by LP-MOCVD[J].Journal of Synthetic Crystals,2006,35(1):135-138. |
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| Authors: | YAO Ran ZHU Jun-jie DUAN Li ZHU La-la FU Zhu-xi |
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| Institution: | Department of Physics, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO sputtering MOCVD buffer layer |
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