|
|||||
|
|
| 红外半导体材料HgMnTe的缺陷腐蚀 | |
| 引用本文： | 李宇杰,刘晓华,介万奇.红外半导体材料HgMnTe的缺陷腐蚀[J].半导体学报,1999,20(9):765-771. |
| 作者姓名： | 李宇杰 刘晓华 介万奇 |
| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室!西安710072 |
| 摘 要： | 窄禁带、含Ｈｇ的Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体晶体的电性能受缺陷影响很大，蚀坑密度又是缺陷电学性质研究中重要的相关参数．本文从腐蚀机理出发，研究了ＨｇＭｎＴｅ的腐蚀工艺，探索出一种适合于ＨｇＭｎＴｅ的腐蚀液．从实验结果来看，该腐蚀液可显示不同晶面上的多种缺陷，如位错、晶界、孪晶、杂质和沉淀等，而且腐蚀质量高．以此为基础，我们还分析了ＡＣＲＴ和Ｂｒｉｄｇｍａｎ两种方法生长的ＨｇＭｎＴｅ晶体中缺陷的形貌特点及分布情况 |
| 关 键 词： | 红外半导体材料 HgMnTe 缺陷腐蚀 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载免费的PDF全文 | |