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用Franz-Keldysh效应研究GaAs表面硫化学钝化
引用本文:
廖友贵,金鹏,李乙钢,张存洲,潘士宏,梁基本.用Franz-Keldysh效应研究GaAs表面硫化学钝化[J].半导体学报,1999,20(11):1004-1009.
作者姓名:
廖友贵
金鹏
李乙钢
张存洲
潘士宏
梁基本
作者单位:
[1]南开大学物理系 [2]中国科学院半导体研究所
摘 要:
硫钝化是一种比较有效的钝化GaAs表面的方法.本文使用Na2S、S2Cl2和CH3CSNH2三种化学试剂对表面本征层重掺杂层(sin+)结构的GaAs样品进行了钝化,利用光调制反射谱观察到许多个FranzKeldysh振荡,测量出本征层的电场强度,研究了GaAs表面硫钝化前后费米能级的变化,并且比较了各种钝化方法的钝化效果.
关 键 词:
砷化镓
硫钝化
F-K效应
半导体表面
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