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| C15化合物ZrZn2和ZrV2的磁性和超导性的自洽电子结构研究 | |
| 作者姓名： | 黄美纯 H.J.F.Jansen A.J.Freeman |
| 作者单位： | 1 厦门大学物理系 2 美国西北大学物理系洛沙拉莫斯国家实验所材料科学中心 |
| 摘 要： | 本文介绍了新发展的体能带全电子完整势线性缀加平面波(FLAPW)方法,在计算立方Laves相C15化合物ZrZn2和ZrV2电子结构的首次应用.这两种材料的磁性和超导性,己用能带结构的结果进行了计算和讨论.计算分两种情况:(1)扭曲Muffin-tin(MT)势的自洽计算,(2)应用二次变分的完整势处理.上述计算都在达到自洽后将自旋轨道耦合效应包括进去.在MT球内的非球对称项对本征值的影响约为1mRy量级.但是,由于在Fermi能级附近存在着平坦的能带,它可能对EF处的态密度产生值得注意的影响.分波态密度的仔细分析表明:ZrZn2和ZrV2之间最主要的差别是原子Zr和V产生的d带的位置不同. 本文通过计算广义Stoner因子,研究了这些材料的磁性.结果发现,ZrZn2存在着磁反常而ZrV2是非磁性的.这一结果同实验观察一致.理论预言ZrV2的超导转变温度Tc～15K,而ZrZn2约为4K.同以前的各种计算比较,本文结果有大幅度的改进. |
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