低压化学蒸汽淀积(LPCVD)薄膜技术的计算机模拟通式

本文在推导出LPCVD多晶硅计算机模拟算式的基础上,进一步又推导了LPCVD的计算机模拟通式,用于LPCVD二氧化硅、氮化硅的模拟计算中,得到较好的结果。这种理论模拟方法在LPCVD领域中具有一定的普遍性。从理论计算可得出一些新的规律,对掌握和改进LPCVD技术,以及对专用设备的设计都将有益。