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GaN的声表面波特性研究
引用本文:严莉,陈晓阳,何世堂,李红浪,韩培德,陈振,陆大成,刘祥林,王晓晖,李昱峰,袁海荣,陆沅,黎大兵,朱勤生,王占国. GaN的声表面波特性研究[J]. 发光学报, 2003, 24(2): 161-164
作者姓名:严莉  陈晓阳  何世堂  李红浪  韩培德  陈振  陆大成  刘祥林  王晓晖  李昱峰  袁海荣  陆沅  黎大兵  朱勤生  王占国
作者单位:1. 航天航空总公司二院23所声表面波公司,北京,100854
2. 中国科学院声学研究所,北京,100083
3. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京,100083
基金项目:国家自然科学基金(60086001,69906002),国家重大基础研究项目(G20000683)资助项目
摘    要:采用金属有机物化学气相外延方法在(0001)面蓝宝石上生长了高质量、高阻的未掺杂(0001)面GaN薄膜。为精确测量GaN薄膜材料的声表面波特性,在GaN薄膜表面上沉积了金属叉指换能器,叉指换能器采用等叉指结构,叉指的数目为40对,叉指间距为15μm。采用脉冲法测量了声表面波在自由表面和金属表面上的速度,并通过计算得到了机电耦合系数(κ^2)。所测量的声表面波速度(ν)为5667m/s,机电耦合系数(κ^2)为1.9%。

关 键 词:GaN 声表面波特性 氮化镓 声表面波速度 机电耦合系数 薄膜生长 声表面波器件
文章编号:1000-7032(2003)02-0161-04

Study of the Surface Acoustic Wave Properties of GaN
Abstract:
Keywords:GaN  surface acoustic wave velocity  electro mechanical coupling coefficient
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