| AlN／GaN异质结的价带偏移计算 |
| |
| 引用本文： | 何国敏,郑永梅.AlN／GaN异质结的价带偏移计算[J].厦门大学学报(自然科学版),1996,35(3):354-359. |
| |
| 作者姓名： | 何国敏 郑永梅 |
| |
| 摘 要： | 用平均键能方法，研究了ＡｌＮ与ＧａＮ自由应变生长、以ＡｌＮ为衬底和以ＧａＮ为衬底等三种不同应变状态下ＡｌＮ／ＧａＮ应变层异质结的价带偏移．着重尝试了能带中含浅ｄ态的情况下，用平均键能方法计算异质结的△Ｅｖ值．由于目前还没有可供比较的实验值或理论计算结果，为检验平均键能方法计算的可靠性，又采用能同时计入各种影响△Ｅｖ因素的较严格的超原胞（ＡｌＮ）ｎ（ＧａＮ）ｎ（００１），（ｎ＝１．３，５）界面自洽计算方法，验证超晶格中平均键能Ｅｍ的“对齐”程度和价带偏移△Ｅｖ的计算结果．
|
| 关 键 词： | 应变层异质结，价带偏移 |
The Valence-band Offsets of Heterojunction AlN/GaN |
| |
| He Guomin,Zheng Yongmei,Wang Renzhi.The Valence-band Offsets of Heterojunction AlN/GaN[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),1996,35(3):354-359. |
| |
| Authors: | He Guomin Zheng Yongmei Wang Renzhi |
| |
| Institution: | Dept. of Phys. |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Strained layer heterojunction Valence-band offsets |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
