|
|||||
|
|
| 关于二次离子轰击制膜工艺的两点改进 | |
| 引用本文： | 李忠奇 ,李正芬.关于二次离子轰击制膜工艺的两点改进[J].光学技术,1983(4). |
| 作者姓名： | 李忠奇 李正芬 |
| 摘 要： | <正> 一、前言二次离子轰击净化镀膜表面的技术已被广泛采用,净化的效果决定于:(1)二次离子轰击结束到开始镀膜的时间τ;(2)充入气体的纯度。考克斯和哈斯的实验结果指出: |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |