| 适用于Φ200mm硅片工艺的立式扩散/氧化炉设计 |
| |
| 引用本文： | 程朝阳.适用于Φ200mm硅片工艺的立式扩散/氧化炉设计[J].电子工业专用设备,2003,32(5):16-17,20. |
| |
| 作者姓名： | 程朝阳 |
| |
| 作者单位： | 北京七星华创电子股份有限公司微电子设备分公司,北京,100016 |
| |
| 摘 要： | 简要介绍适用于200mm硅片工艺的立式扩散?氧化炉的几个关键部分的设计要点和控制方法,重点对炉温和颗粒控制方面进行较详细的论述。
|
| 关 键 词： | 立式炉 加热炉体 颗粒控制 标准接口 |
| 文章编号： | 1004-4507(2003)05-0016-02 |
Vertical diffusion/Oxidation Furnace Design for φ200 mm wafer |
| |
| CHENG Chaoyang.Vertical diffusion/Oxidation Furnace Design for φ200 mm wafer[J].Equipment for Electronic Products Marufacturing,2003,32(5):16-17,20. |
| |
| Authors: | CHENG Chaoyang |
| |
| Abstract: | Design main and control point on some key parts of vertical diffusion?oxidation fur -nace Design for 200mm wafer are briefly introduced.Put emphasis upon controlling the tem-pera ture of furnace and particles. |
| |
| Keywords: | Vertical furnace Calefaction hearth particle control Standard connect |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
