| 退火温度对镶嵌于SiO2膜中的Ge纳米晶结构的影响 |
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| 引用本文： | 张佳雯,高斐,晏春愉,孙杰,权乃承,刘伟,方晓玲. 退火温度对镶嵌于SiO2膜中的Ge纳米晶结构的影响[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(1): 143-147 |
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| 作者姓名： | 张佳雯 高斐 晏春愉 孙杰 权乃承 刘伟 方晓玲 |
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| 作者单位： | 陕西师范大学物理与信息技术学院,西安,710062;陕西师范大学物理与信息技术学院,西安,710062;陕西师范大学物理与信息技术学院,西安,710062;陕西师范大学物理与信息技术学院,西安,710062;陕西师范大学物理与信息技术学院,西安,710062;陕西师范大学物理与信息技术学院,西安,710062;陕西师范大学物理与信息技术学院,西安,710062 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射及退火的方法制备了含Ge纳米晶的SiO2复合膜,应用拉曼散射和X射线衍射技术研究不同退火温度下的Ge纳米晶结构.结果表明:Ge纳米晶的结晶温度约为750 ℃.运用声子限域模型(RWL model)对样品的拉曼散射光谱进行拟合,确定出样品中Ge纳米晶的尺寸.通过XRD谱计算复合膜的内部压应力,得出由其引起的拉曼峰位的蓝移量,得出结论:压应力是造成拉曼模拟曲线与实验曲线峰位偏离的主要原因.
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| 关 键 词： | Ge纳米晶 磁控溅射 退火 SiO2膜 声子限域模型 |
Effect of Annealing Temperature on the Structure of Ge Nanocrystals Embedded in SiO_2 Film |
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| ZHANG Jia-wen,GAO Fei,YAN Chun-yu,SUN Jie,QUAN Nai-cheng,LIU Wei,FANG Xiao-ling. Effect of Annealing Temperature on the Structure of Ge Nanocrystals Embedded in SiO_2 Film[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2009, 38(1): 143-147 |
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| Authors: | ZHANG Jia-wen GAO Fei YAN Chun-yu SUN Jie QUAN Nai-cheng LIU Wei FANG Xiao-ling |
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| Affiliation: | School of Physics Information Technology;Shaanxi Normal University;Xi'an 710062;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ge nanocrystals magnetron sputtering annealing SiO2 film phonon confinement model |
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