| 退火温度对镶嵌于SiO2膜中的Ge纳米晶结构的影响 |
| |
| 引用本文： | 张佳雯,高斐,晏春愉,孙杰,权乃承,刘伟,方晓玲.退火温度对镶嵌于SiO2膜中的Ge纳米晶结构的影响[J].人工晶体学报,2009,38(1):143-147. |
| |
| 作者姓名： | 张佳雯 高斐 晏春愉 孙杰 权乃承 刘伟 方晓玲 |
| |
| 作者单位： | 陕西师范大学物理与信息技术学院,西安,710062 |
| |
| 摘 要： | 采用磁控溅射及退火的方法制备了含Ge纳米晶的SiO2复合膜,应用拉曼散射和X射线衍射技术研究不同退火温度下的Ge纳米晶结构.结果表明:Ge纳米晶的结晶温度约为750 ℃.运用声子限域模型(RWL model)对样品的拉曼散射光谱进行拟合,确定出样品中Ge纳米晶的尺寸.通过XRD谱计算复合膜的内部压应力,得出由其引起的拉曼峰位的蓝移量,得出结论:压应力是造成拉曼模拟曲线与实验曲线峰位偏离的主要原因.
|
| 关 键 词： | Ge纳米晶 磁控溅射 退火 SiO2膜 声子限域模型 |
Effect of Annealing Temperature on the Structure of Ge Nanocrystals Embedded in SiO_2 Film |
| |
| ZHANG Jia-wen,GAO Fei,YAN Chun-yu,SUN Jie,QUAN Nai-cheng,LIU Wei,FANG Xiao-ling.Effect of Annealing Temperature on the Structure of Ge Nanocrystals Embedded in SiO_2 Film[J].Journal of Synthetic Crystals,2009,38(1):143-147. |
| |
| Authors: | ZHANG Jia-wen GAO Fei YAN Chun-yu SUN Jie QUAN Nai-cheng LIU Wei FANG Xiao-ling |
| |
| Institution: | School of Physics Information Technology;Shaanxi Normal University;Xi'an 710062;China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Ge nanocrystals magnetron sputtering annealing SiO2 film phonon confinement model |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
