| 500 V LDMOS研制 |
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| 引用本文： | 崔金洪,石金成.500 V LDMOS研制[J].电子与封装,2015,15(1):36-40. |
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| 作者姓名： | 崔金洪 石金成 |
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| 作者单位： | 深圳方正微电子有限公司,广东深圳,518116 |
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| 摘 要： | 为了降低器件的制造成本,又可以和低压器件实现自主隔离集成在一起,所以需要价格较低的普通CMOS衬底片来实现高电压的器件设计。设计研制了一种在普通CMOS的衬底片上做深N阱层光刻注入和推结深,然后生长外延层,在外延层上做器件,高压N阱作为LDMOS的漂移区做在P-外延层中,深N阱层做在P型衬底上。由于深N阱层注入推结深步骤后的热制成步骤,导致深N阱层会反扩到P-外延层,深N阱层是漏端重要组成部分,与高压N阱一样承担BVDS耐压重要功能。击穿电压的关键是高压N阱漂移区(耐压区)和深N阱层耐压区的结构。利用工艺仿真软件对高压N阱漂移区和深N阱层耐压区的不同注入剂量、长度、结深对LDMOS器件的击穿电压的影响进行了汇总,最终确认各个参量数值。
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| 关 键 词： | LDMOS 漂移区 高压N阱 深N阱 击穿电压 |
500 V LDMOS Development |
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| CUI Jinhong,SHI Jincheng.500 V LDMOS Development[J].Electronics & Packaging,2015,15(1):36-40. |
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| Authors: | CUI Jinhong SHI Jincheng |
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| Abstract: | |
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