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| CC双键对氟化非晶碳薄膜I-V特性的影响 | |
| 作者单位： | 苏州大学物理科学与技术学院 苏州215006(叶超，宁兆元，程珊华，辛煜)，苏州大学物理科学与技术学院 苏州215006(许圣华) |
| 摘 要： | 研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳 (a_C :F)薄膜的电学性质 .发现对于不同C_Fx 含量的薄膜 ,CC含量的增大对薄膜的导电行为具有不同的影响 .薄膜的直流I_V特性呈现I =aV bVn规律 ,是低场强区的欧姆导电和高场强区的空间电荷限流 (SCLC)组成的导电过程 .由于非晶材料的空间电荷限流与带尾态密度的分布密切相关 ,而a_C :F薄膜中CC的含量决定带尾态密度的分布 ,因此a_C :F薄膜在高场下的空间电荷限流是由薄膜中 CC 决定的导电过程 . |
| 关 键 词： | 氟化非晶碳(a-C:F)薄膜 直流伏安特性 CC双键 |
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