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| 用椭圆偏振光谱法研究GaxIn1-xP的光学性质(Ⅱ) | |
| 引用本文： | 张淑芝,张燕锋,黄柏标,黄根生,秦晓燕.用椭圆偏振光谱法研究GaxIn1-xP的光学性质(Ⅱ)[J].山东大学学报(理学版),1999,34(1). |
| 作者姓名： | 张淑芝 张燕锋 黄柏标 黄根生 秦晓燕 |
| 作者单位： | 1. 山东大学光电系 2. 山东大学晶体材料国家重点实验室 |
| 摘 要： | 用椭偏光谱法对用ＭＯＣＶＤ方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ掺Ｓｉ及掺Ｚｎ样品在室温下，可见光区得到的光学常数求其介电函数三级微商谱．将用于分析调制反射谱的三点比例法推广，并用来分析介电函数的三级微商谱．精确地得到样品的带隙Ｅｇ，Ｅｇ＋△０以及Ｅｇ以上成对结构跃迁的能量位置及其间隔．计算了Ｅｇ以及费米能级的相对位置．将实验值与计算值比较，分析其差异的原因，发现样品存在有序结构 |
| 关 键 词： | 介电函数三级微商谱 三点比例内插 有序结构 |
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