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| 808 nm InGaAsP-InP单量子阱激光器热特性研究 | |
| 引用本文： | 张永明,钟景昌,路国光,秦莉,赵英杰,郝永芹,姜晓光.808 nm InGaAsP-InP单量子阱激光器热特性研究[J].光子学报,2006,35(1):9-12. |
| 作者姓名： | 张永明 钟景昌 路国光 秦莉 赵英杰 郝永芹 姜晓光 |
| 作者单位： | 1. 长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;沈阳化工学院材料科学与工程学院,沈阳,110142 2. 长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022 3. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130033 |
| 基金项目： | 兵器工业总公司资助项目 |
| 摘 要： | 从InGaAsP-InP单量子阱激光器结构分析入手，采用自行设计的热封闭系统对808 nm InGaAsP-InP单量子阱激光器热特性进行了研究.实验表明，在23-70℃的温度范围内，器件的功率由1.74 W降到0.51 W，斜率效率由1.08 W/A降到0.51 W/A.实验测得其特征温度T0为325 K.激射波长随温度的漂移dλ/dT为 0.44 nm/℃.其芯片的热阻为3.33℃/W. |
| 关 键 词： | 单量子阱激光器 808 nm InGaAsP-InP 热特性 特征温度 |
| 收稿时间： | 2004-10-25 |
| 修稿时间： | 2004年10月25 |
Study of Thermal Characteristics of 808 nm InGaAsP-InP SQW Lasers |
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| Zhang Yongming,Zhong Jingchang,Lu Guoguang,Qin Li,Zhao Yingjie,Hao Yongqin,Jiang Xiaoguang.Study of Thermal Characteristics of 808 nm InGaAsP-InP SQW Lasers[J].Acta Photonica Sinica,2006,35(1):9-12. | |
| Authors: | Zhang Yongming Zhong Jingchang Lu Guoguang Qin Li Zhao Yingjie Hao Yongqin Jiang Xiaoguang |
| Institution: | 1 State Key Lab on High Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022;2 Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences,Changchun 130033 |
| Abstract: | The temperature characteristics of 808 nm InGaAsP-InP SQW lasers have been investigated in a heat-tight system by analyzing their structure. It is shown that the power and the slope efficiency of the devices decreases from 1.74 m to 0.51 W and 1.08 mW/mA to 0.51 mW/mA in the temperature range of 23～70℃,respectively. Lasing wavelength shift coefficient dλ/dT is 0.44 nm/(℃). The characteristic temperature T0 of 325 K is experimentally obtained. The thermal resistance of the chip,determined experimentally,is 3.33℃/W. |
| Keywords: | SQW Laser 808 nm InGaAsP-InP Thermal characteristics Characteristic temperature |
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