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热压法制备多孔氮化硅陶瓷
引用本文:解玉鹏,焦德冰.热压法制备多孔氮化硅陶瓷[J].大学物理实验,2024(1):49-51+57.
作者姓名:解玉鹏  焦德冰
作者单位:吉林化工学院理学院
基金项目:吉林省教育厅科学研究资助项目(JJKH20230299KJ);
摘    要:以CaF2作为α-Si3N4粉末的烧结助剂,同时充当多孔氮化硅陶瓷的造孔剂,采用热压烧结工艺在较低温度下制备多孔氮化硅陶瓷。研究烧结助剂的含量对多孔氮化硅陶瓷显气孔率、抗弯强度的影响,分析材料的组分并观察断口结构。结果表明:在温度1 450℃,压力0.55T的条件下,当CaF2添加量为6.0wt%时,多孔陶瓷的性能较为优异,其孔隙率为38.8%,α-Si3N4→β-Si3N4的相变程度为38.5%,抗弯强度为137.1 MPa。

关 键 词:多孔陶瓷  热压烧结  抗弯强度  低温制备
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