热压法制备多孔氮化硅陶瓷 |
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引用本文: | 解玉鹏,焦德冰.热压法制备多孔氮化硅陶瓷[J].大学物理实验,2024(1):49-51+57. |
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作者姓名: | 解玉鹏 焦德冰 |
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作者单位: | 吉林化工学院理学院 |
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基金项目: | 吉林省教育厅科学研究资助项目(JJKH20230299KJ); |
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摘 要: | 以CaF2作为α-Si3N4粉末的烧结助剂,同时充当多孔氮化硅陶瓷的造孔剂,采用热压烧结工艺在较低温度下制备多孔氮化硅陶瓷。研究烧结助剂的含量对多孔氮化硅陶瓷显气孔率、抗弯强度的影响,分析材料的组分并观察断口结构。结果表明:在温度1 450℃,压力0.55T的条件下,当CaF2添加量为6.0wt%时,多孔陶瓷的性能较为优异,其孔隙率为38.8%,α-Si3N4→β-Si3N4的相变程度为38.5%,抗弯强度为137.1 MPa。
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关 键 词: | 多孔陶瓷 热压烧结 抗弯强度 低温制备 |
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