Zur photometrischen Bestimmung von Spuren Bor im Silicium |
| |
Authors: | F A Pohl K Kokes und W Bonsels |
| |
Institution: | (1) AEG-Forschungs-Institut Frankfurt, Deutschland |
| |
Abstract: | Zusammenfassung Die Entwicklung einer neuen Methode zur Bestimmung sehr geringer Spuren Bor im Silicium wird beschrieben.Zur Analyse wird das Silicium in einer geschlossenen Apparatur aus Quarz mit einer etwa äquivalenten Menge Brom quantitativ bromiert. Bor und Silicium werden hierauf durch Destillation und Perforation quantitativ getrennt und anschließend das Bor mit Curcumin als Farbkomplex bei 540 m photometrisch bestimmt.Die Methode erfordert keine Zerkleinerung der Probesubstanz, vermeidet Alkalien oder sonstige anorganischen Salze beim Aufschluß und ermöglicht die verlustlose Isolierung von Borspuren bis 10–7 % unter Vermeidung fester Phasen im Trennungsgang.Für die sorgfältige Ausführung von Versuchen danken wir FrauIngrid Stumpe und Frl.Ursula Hein. |
| |
Keywords: | |
本文献已被 SpringerLink 等数据库收录! |