| Sol-gel法制备掺钕钛酸铅铁电薄膜 |
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| 引用本文： | 杨长红,王卓,姜付义,翟剑庞,仪修杰,韩建儒.Sol-gel法制备掺钕钛酸铅铁电薄膜[J].人工晶体学报,2004,33(2):223-226. |
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| 作者姓名： | 杨长红 王卓 姜付义 翟剑庞 仪修杰 韩建儒 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
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| 摘 要： | 采用sol-gel法在P型Si(111)衬底上制备了Pb0.85Nd0.1TiO3(PNT) 薄膜.用X射线衍射技术研究了退火温度对薄膜结构和结晶性的影响.同时还研究了薄膜的介电、铁电和绝缘性能.结果发现在600℃下退火1h的PNT薄膜呈钙钛矿结构;在0～5V范围内,薄膜的漏电流密度小于1.00×10-5A/cm2;在±5V的偏压范围内,C-V记忆窗口宽度为2V;在零电压下,时间保持长达105～106s; 在室温100kHz下,其介电常数为31.60,介电损耗为0.12.
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| 关 键 词： | sol-gel法 PNT 铁电薄膜 |
| 文章编号： | 1000-985X(2004)02-0223-04 |
Preparation of Nd-doped PbTiO3 Thin Films by Sol-gel Method |
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| YANG Chang-hong,WANG Zhuo,JIANG Fu-yi,ZHAI Jian-pang,YI Xiu-jie,HAN Jian-ru hina.Preparation of Nd-doped PbTiO3 Thin Films by Sol-gel Method[J].Journal of Synthetic Crystals,2004,33(2):223-226. |
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| Authors: | YANG Chang-hong WANG Zhuo JIANG Fu-yi ZHAI Jian-pang YI Xiu-jie HAN Jian-ru hina |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PNT |
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