| 硅栅CMOS集成电路测试图形的研究 |
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| 引用本文： | 桂力敏,贺德洪,丁瑞军,董胜强,谢嘉慧,陈承,陈康民,陈谷平,徐士美.硅栅CMOS集成电路测试图形的研究[J].上海师范大学学报(自然科学版),1992(1). |
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| 作者姓名： | 桂力敏 贺德洪 丁瑞军 董胜强 谢嘉慧 陈承 陈康民 陈谷平 徐士美 |
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| 作者单位： | 华东师范大学电子科学技术系，华东师范大学电子科学技术系，华东师范大学电子科学技术系，华东师范大学电子科学技术系，华东师范大学电子科学技术系，华东师范大学电子科学技术系，华东师范大学上海元件五厂，华东师范大学上海元件五厂，华东师范大学上海元件五厂 |
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| 摘 要： | 本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于监测CMOSIC动态参数的结构设计及其对工艺的评价。
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| 关 键 词： | CMOSIC 测试图形 组合结构 硅栅 |
Study on Silicon-gate CMOS IC Test Pattern |
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| GUI LIMIN HE DEHONG DING RUIJUN DONG SHENGGIANG XIE JIAHUI GHEN GHENG.Study on Silicon-gate CMOS IC Test Pattern[J].Journal of Shanghai Normal University(Natural Sciences),1992(1). |
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| Authors: | GUI LIMIN HE DEHONG DING RUIJUN DONG SHENGGIANG XIE JIAHUI GHEN GHENG |
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| Institution: | GUI LIMIN HE DEHONG DING RUIJUN DONG SHENGGIANG XIE JIAHUI GHEN GHENG Department of Electronic Science and Technology
CHEN KANGMIN CHEN GUPING XU SHIMEI Shanghai No.5 Component Factory |
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| Abstract: | The microelectronic test patterns used for the process diagnosis and the reliability monitoring of silicon-gate CMOS IG are described.Discussions are focused on:(1)the composite structures for measuring the sheet resistance of drain, source and poly-silicon,and the lateral variation produced during diffusion and etching;(2)the design of structures for monitoring the dynamic parameters of CMOS IC and its application process evaluation. |
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| Keywords: | CMOS IC test pattern composite structures silicon-gate |
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