| 两步生长法生长的Inx Ga1-x As/GaAs材料及性质 |
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| 引用本文： | 韩智明,缪国庆,曾玉刚,张志伟.两步生长法生长的Inx Ga1-x As/GaAs材料及性质[J].发光学报,2015(3):288-292. |
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| 作者姓名： | 韩智明 缪国庆 曾玉刚 张志伟 |
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| 作者单位： | 1. 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林 长春 130033; 中国科学院大学，北京 100049
2. 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林 长春,130033 |
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| 基金项目： | “973”国家重点基础研究发展计划(2012CB619201);吉林省科技发展计划(20140520117JH)资助项目 |
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| 摘 要： | 利用LP-MOCVD技术，采用两步生长法在GaAs(100)单晶衬底上外延生长InxGa1-xAs材料。通过扫描电子显微镜( SEM)与原子力显微镜( AFM)观察了缓冲层厚度对外延层表面形貌、表面粗糙度的影响；利用X射线衍射( XRD)分析了缓冲层厚度对外延层结晶质量的影响；利用拉曼光谱分析了缓冲层厚度对外延层材料合金有序度的影响；通过透射电子显微镜( TEM)观察了外延层材料位错的分布状态，计算了外延层的位错密度。实验结果表明，两步生长法生长的Inx Ga1-x As/GaAs异质结材料的缓冲层厚度存在一个最优值。
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| 关 键 词： | 两步生长法 GaAs InGaAs MOCVD |
Properties of InGaAs Deposited on GaAs Substrate with Two-step Growth |
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| HAN Zhi-ming
,
MIAO Guo-qing
,
ZENG Yu-gang
,
ZHANG Zhi-wei.Properties of InGaAs Deposited on GaAs Substrate with Two-step Growth[J].Chinese Journal of Luminescence,2015(3):288-292. |
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| Authors: | HAN Zhi-ming MIAO Guo-qing ZENG Yu-gang ZHANG Zhi-wei |
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| Institution: | HAN Zhi-ming;MIAO Guo-qing;ZENG Yu-gang;ZHANG Zhi-wei;State Key Laboratory of Luminescence and Applications,Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,Chinese Academy of Sciences;University of Chinese Academy of Sciences; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | two step growth GaAs InGaAs MOCVD |
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