| 磁控溅射法制备BST铁电薄膜的实验研究 |
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| 引用本文： | 章天金,何军,张柏顺,潘瑞琨,江娟,马志军.磁控溅射法制备BST铁电薄膜的实验研究[J].压电与声光,2007,29(1):62-64,67. |
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| 作者姓名： | 章天金 何军 张柏顺 潘瑞琨 江娟 马志军 |
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| 作者单位： | 湖北大学,物理学与电子技术学院,湖北武汉,430062 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法在Si和Pt/TiOx/SiO2/Si衬底上沉积了(Ba0.65Sr0.35)TiO3铁电薄膜,研究了BST铁电薄膜微观结构和介电性能。实验结果表明:衬底温度在550℃,工作气压为2.0 Pa的溅射条件下沉积的BST薄膜,经750℃退火处理30 min后,形成了完整的钙钛矿相;与Si衬底相比,在Pt衬底上制备的BST薄膜晶粒更均匀、表面平整无裂纹。在室温、频率为100 kHz条件下薄膜的介电常数ε=353.8,介电损耗tanδ=0.012 8。介电温谱结果表明制备的(Ba0.65Sr0.35)TiO3铁电薄膜居里温度在5.0℃左右。
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| 关 键 词： | RF磁控溅射 (Ba0.65Sr0.35)TiO3薄膜 介电常数 居里温度 |
| 文章编号： | 1004-2474（2007）01-0062-03 |
| 修稿时间： | 2005-09-14 |
Study on(Ba0.65Sr0.35)TiO3 Ferroelectric Thin Film Prepared by RF Magnetron Sputtering |
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| ZHANG Tian-jin,HE Jun,ZHANG Bai-shun,PAN Rui-kun,JIANG Juan,MA Zhi-jun.Study on(Ba0.65Sr0.35)TiO3 Ferroelectric Thin Film Prepared by RF Magnetron Sputtering[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2007,29(1):62-64,67. |
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| Authors: | ZHANG Tian-jin HE Jun ZHANG Bai-shun PAN Rui-kun JIANG Juan MA Zhi-jun |
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| Institution: | School of Physics and Electronic Technology , Hubei University, Wuhan 430062,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RF magnetron sputtering (Ba0 65Sr0 35)TiO3 thin film dielectric constant Curie temperature |
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