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CCD紫外敏感Lumogen薄膜制备与光谱表征
作者姓名:张大伟  田鑫  黄元申  倪争技  庄松林
作者单位:上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海市现代光学系统重点实验室,上海,200093;上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海市现代光学系统重点实验室,上海,200093;上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海市现代光学系统重点实验室,上海,200093;上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海市现代光学系统重点实验室,上海,200093;上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海市现代光学系统重点实验室,上海,200093
基金项目:国家自然科学基金,上海市科委课题,上海市研究生创新基金 
摘    要:传统的CCD和CMOS成像传感器对紫外区域响应比较弱,这是因为多晶硅栅对紫外光有强的吸收能力,从而阻碍了紫外光进入CCD沟道。为了提高探测器对紫外辐射的敏感性,可行的一种办法是在器件上镀一层可以将紫外光转化为可见光的变频膜。采用真空蒸发法制备了有机Lumogen薄膜,并用发光官能团分析、椭圆偏振技术研究了Lumogen薄膜的发光原理与光学常数。分析与实验结果表明:Lumogen可连续光致发光原因是其分子具有四类双键结构;椭圆偏振法测得该Lumogen薄膜折射率在1.3左右,说明该膜具有增透效果。同时,通过测量Lumogen薄膜的透射光谱、吸收光谱、光致发光发射谱和激发谱,表征了Lumogen薄膜的光谱性质,发现Lumogen薄膜在可见波段(>470 nm)有较好的透过性,用紫外光激发会产生较强的黄绿光(中心波长位于523 nm),且激发光谱宽(240~490 nm)。结论表明Lumogen薄膜的发射光谱能够与CCD等传统硅基成像器件的响应光谱匹配,是一种符合实际要求的紫外敏感薄膜。

关 键 词:Lumogen薄膜  紫外敏感  真空蒸发法  光谱表征
收稿时间:2009-08-02
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