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一种高速片内电流监控器实现
引用本文:郭慧,冯建华.一种高速片内电流监控器实现[J].微电子学与计算机,2008,25(2):140-143.
作者姓名:郭慧  冯建华
作者单位:1. 北京大学,深圳研究生院,广东,深圳,518055;北京大学,微电子系,北京,100871
2. 北京大学,微电子系,北京,100871
摘    要:静态电流(IDDQ)测试的实现方法研究是IDDQ测试领域的重要内容之一,高速、高精度是共同追求的目标。通过分析测试向量改变时流过被测电路的电源电流变化情况,得出制约IDDQ测试速度的主要因素。基于此,采用CMOS0.5μm工艺参数、SPICE仿真工具和模拟集成电路设计规则,提出一种快速、高精度的BICS(片内电流监控器)的设计方案。设计中利用辅助的PMOS开关管和延迟电路,有效地解决测试速度问题。设计出的电路达到了100MHz的测试速率、1A测量精度、500mV的最大电源电压降、50μA以上的故障电流检测能力,可以满足一定的实际应用需要。

关 键 词:电流监控器  IDDQ  IDDQ测试  BICS  测试速度
文章编号:1000-7180(2008)02-0140-04
收稿时间:2007-01-13
修稿时间:2007年1月13日

A High-Speed Built-in Current Sensor Implementation
GUO Hui,FENG Jian-hua.A High-Speed Built-in Current Sensor Implementation[J].Microelectronics & Computer,2008,25(2):140-143.
Authors:GUO Hui  FENG Jian-hua
Abstract:
Keywords:current sensor  IDDQ  IDDQ testing  BICS  test Speed
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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