| 高温AlN模板上p型GaN的生长研究 |
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| 引用本文： | 刘挺,邹泽亚,王振,赵红,赵文伯,罗木昌,周勋,杨晓波,廖秀英.高温AlN模板上p型GaN的生长研究[J].半导体学报,2008,29(1):128-132. |
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| 作者姓名： | 刘挺 邹泽亚 王振 赵红 赵文伯 罗木昌 周勋 杨晓波 廖秀英 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团第四十四研究所，重庆 400060;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054;中国电子科技集团第四十四研究所，重庆 400060;中国电子科技集团第四十四研究所，重庆 400060;中国电子科技集团第四十四研究所，重庆 400060;中国电子科技集团第四十四研究所，重庆 400060;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054;中国电子科技集团第四十四研究所，重庆 400060;中国电子科技集团第四十四研究所，重庆 400060 |
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| 摘 要： | 利用低压金属有机物化学气相沉积技术,采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法,分别在氮化镓(GaN)和高温氮化铝(HT-AlN)模板上,生长了p型GaN外延材料.生长后,双晶X射线衍射和霍尔测试结果表明:HT-AlN模板上采用渐变Mg-δ掺杂方法生长的p型GaN材料,具有最好的晶体质量和电学性能.该p型GaN样品的(0002)面半峰宽值小至178",其空穴氧浓度为5.78×1017 cm-3.在对Cp2Mg/TMGa进行了优化试验后,p型GaN的空穴氧浓度被提高到8.03×1017 cm-3.
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| 关 键 词： | 高温AlN 渐变δ掺杂 均匀掺杂 金属有机物化学气相沉积 p型GaN |
| 文章编号： | 0253-4177（2008）01-0128-05 |
| 收稿时间： | 2007-06-26 |
| 修稿时间： | 8/14/2007 1:11:22 AM |
Growth of p-GaN on High-Temperature AlN Templates |
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| Liu Ting,Zou Zey,Wang Zhen,Zhao Hong,Zhao Wenbo,Luo Muchang,Zhou Xun,Yang Xiaobo and Liao Xiuying.Growth of p-GaN on High-Temperature AlN Templates[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(1):128-132. |
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| Authors: | Liu Ting Zou Zey Wang Zhen Zhao Hong Zhao Wenbo Luo Muchang Zhou Xun Yang Xiaobo and Liao Xiuying |
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| Institution: | Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,China;State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China;Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,China;Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,China;Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,China;Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,China;State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China;Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,China;Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,China |
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