| 分子束外延生长亚稳态ZnCdSe/MgSe低维量子阱结构及其光学性质 |
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| 引用本文： | 李炳生,SHEN Ai-dong.分子束外延生长亚稳态ZnCdSe/MgSe低维量子阱结构及其光学性质[J].发光学报,2013,34(7):811-815. |
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| 作者姓名： | 李炳生 SHEN Ai-dong |
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| 作者单位： | 1. 哈尔滨工业大学基础与交叉科学研究院,黑龙江哈尔滨,150080
2. Department of Electrical Engineering, The City College of the City University of New York, New York 10031, USA |
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| 摘 要： | 采用分子束外延技术在(001)取向的InP衬底上外延生长了亚稳态的ZnxCd1-xSe/MgSe低维量子阱结构,并通过光致发光和子带吸收方法,分析其能带结构。在单量子阱样品制备过程中,高能电子衍射强度振荡表明MgSe可以实现二维生长模式,衍射图样证明其为亚稳态闪锌矿结构。通过引入厚的ZnxCd1-xSe空间层,抑制了MgSe垒层的相变,并能进一步提高样品的结晶质量,得到高结晶质量的多量子阱结构。通过计算不同阱宽的能带与光致发光实验比较,证明了ZnxCd1-xSe/MgSe的导带带阶为1.2 eV,价带带阶为0.27 eV。为了进一步验证其能带结构,制备了电子掺杂的ZnxCd1-xSe/MgSe的多量子阱,观测到半高宽很窄的中红外吸收。利用发光谱确定的带阶计算了量子阱中子带的吸收波长,和实验结果非常吻合。设计了一种双量子阱结构,计算结果显示,通过利用量子阱中的耦合效应,可以实现1.55μm光通信波段的吸收。
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| 关 键 词： | 分子束外延 Ⅱ-Ⅵ族量子阱 闪锌矿MgSe 能带带阶 |
Optical Properties of ZnxCd1-xSe/MgSe Quantum Wells Grown on InP Substrate by Molecular Beam Epitaxy |
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| LI Bing-sheng
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SHEN Ai-dong.Optical Properties of ZnxCd1-xSe/MgSe Quantum Wells Grown on InP Substrate by Molecular Beam Epitaxy[J].Chinese Journal of Luminescence,2013,34(7):811-815. |
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| Authors: | LI Bing-sheng SHEN Ai-dong |
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| Institution: | LI Bing-sheng1,SHEN Ai-dong2 (1.Academy of Fundamental and Interdisciplinary Sciences,Harbin Institute of Technology(HIT),Harbin 150080,China; 2.Department of Electrical Engineering,The City College of the City University of New York,New York 10031,USA) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | molecular beam epitaxy Ⅱ-Ⅵ quantum wells zincblende MgSe band offset |
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