| 具有电流阻挡层的不同GaN基LED的光电特性(英文) |
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| 引用本文： | 郭伟玲,俞鑫,刘建朋,樊星,白俊雪. 具有电流阻挡层的不同GaN基LED的光电特性(英文)[J]. 发光学报, 2013, 34(7): 918-923 |
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| 作者姓名： | 郭伟玲 俞鑫 刘建朋 樊星 白俊雪 |
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| 作者单位： | 北京工业大学光电子技术实验室,北京,100124 |
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| 摘 要： | 研究对比了InGaN/GaN多量子阱发光二极管中p电极下的不同SiO2电流阻挡层的光电特性。6种样品被分为3组:普通表面、表面粗化、表面粗化+边墙腐蚀。每组都有两种结构,一种具有电流阻挡层,另一种没有电流阻挡层。每组中,具有电流阻挡层的LED在20 mA下的正向电压分别为3.156,3.282,3.284 V,略高于不含电流阻挡层的样品(Vf=3.105,3.205,3.210 V).但是,具有电流阻挡层的LED的光效和光功率要优于无电流阻挡层的器件,在20 mA下的光功率分别提高了10.20%、12.19%和11.49%。这些性能的提升都要归功于电流阻挡层良好的电流扩展效应,同时电流阻挡层还可以减小p电极下的寄生光吸收。
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| 关 键 词： | LED 电流阻挡层 光功率 光效 |
Electrical and Optical Characteristics of Different GaN-based Light Emitting Diodes with Current Blocking Layer |
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| GUO Wei-ling , YU Xin , LIU Jian-peng , FAN Xing , Bai Jun-xue. Electrical and Optical Characteristics of Different GaN-based Light Emitting Diodes with Current Blocking Layer[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2013, 34(7): 918-923 |
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| Authors: | GUO Wei-ling YU Xin LIU Jian-peng FAN Xing Bai Jun-xue |
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| Affiliation: | (Key Laboratory of Opto-electronics Technology,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LED CBL light-output power luminous efficiency |
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