| 后退火气氛对磁控溅射制备β-Ga2O3薄膜材料的影响 |
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| 作者姓名： | 姬凯迪 高灿灿 杨发顺 熊倩 马奎 |
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| 作者单位： | 贵州大学电子科学系,贵阳 550025;贵州大学电子科学系,贵阳 550025;贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳 550025;半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心,贵阳 550025 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61664004);半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(01)) |
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| 摘 要： | 近年来,宽禁带半导体材料β-Ga2 O3越来越多地受到关注,在材料制备、掺杂、刻蚀等方面都有广泛研究.射频磁控溅射是常用的β-Ga2 O3薄膜制备方法之一,后退火处理往往是提高薄膜质量的关键工艺步骤.本文研究后退火工艺中退火温度和退火气氛对射频磁控溅射在C面蓝宝石基底上制备得到的β-Ga2 O3薄膜材料的影响.X射线衍...
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| 关 键 词： | 宽禁带半导体 β-Ga2O3 射频磁控溅射 退火氛围 结晶性能 表面粗糙度 |
| 收稿时间： | 2021-04-02 |
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