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MOCVD方法生长的氧化锌薄膜及其发光特性
引用本文:傅竹西,林碧霞,祝杰,刘丽萍,彭小滔,贾云波.MOCVD方法生长的氧化锌薄膜及其发光特性[J].发光学报,2001,22(2):119-124.
作者姓名:傅竹西  林碧霞  祝杰  刘丽萍  彭小滔  贾云波
作者单位:1. 中国科学技术大学中国科学技术大学物理系,
2. 中国科学技术大学物理系,
3. 中国科学技术大学
基金项目:国家自然科学基金资助项目 ( 5 9872 0 3 7),安徽省科委自然科学基金资助项目 ( 9864 15 5 0 ),国家科委专项资金资助项目 (国科
摘    要:近年来,随着近紫外光发射氧化锌薄膜研究的进展,许多先进的薄膜生长手段被广泛采用。本文探索了用MOCVD方法在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法,试验了用几种不同的有机金属源生长ZnO薄膜;研究了源材料及生长压力和温度对薄膜生长的影响;观察了样品的室温光致发光光 谱。通过与溅射方法生长的ZnO薄膜的比较,提出了影响材料结构和发光特性的可能原因。

关 键 词:氧化锌  薄膜制备  结构特性  光致发光  MOCVD  发光特性
文章编号:1000-7032(2001)02-0119-06
修稿时间:2000年3月22日

MOCVD Growth of ZnO Films and Their Luminescence Properties
FU Zhu xi ,LIN Bi xia ,ZHU Jie ,JIA Yun bo ,LIU Li ping ,PENG Xiao tao.MOCVD Growth of ZnO Films and Their Luminescence Properties[J].Chinese Journal of Luminescence,2001,22(2):119-124.
Authors:FU Zhu xi    LIN Bi xia  ZHU Jie  JIA Yun bo  LIU Li ping  PENG Xiao tao
Institution:FU Zhu xi 1,2,LIN Bi xia 2,ZHU Jie 2,JIA Yun bo 1,LIU Li ping 2,PENG Xiao tao 2
Abstract:
Keywords:zinc oxide films  MOCVD growth  structure  photoluminescence
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