Der Dreistoff: Vanadium-Silicium-Germanium |
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Authors: | H. Holleck F. Benesovsky H. Nowotny |
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Affiliation: | (1) Metallwerk Plansee A.G., Reutte/Tirol;(2) Institut für Physikalische Chemie der Universität Wien, Wien, Österreich |
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Abstract: | Zusammenfassung V-Si-Ge-Legierungen werden aus den Komponenten hergestellt und röntgenographisch untersucht. V3Si und V3Ge bilden eine lückenlose Mischreihe. Ebenso gehen die T1-Phasen V5Si3 und V5Ge3 homogen über, was auch für die C-stabilisierten Phasen mit teilweise aufgefüllter Mn5Si3-Struktur gilt. V11Ge8 löst praktisch kein Silicid und steht mit V5(Si, Ge)3 und (Ge, Si)-Mischkristall im Gleichgewicht. Im Disilicid erfolgt ein Si/Ge-Austausch bis etwa 11 (1000°C Homogenisierungstemp.). Bei dieser Temp. tritt nach kurzen Glühzeiten das sogenannte Digermanid (V17Ge31) noch nicht in Erscheinung.
V-Si-Ge-alloys have been prepared out of the components and examined. V3Si and V3Ge do form a contineous solid solution, the same is true for V5Si3 and V5Ge3 either for the W5Si3-structure or for the carbon stabilized Mn5Si3-type phases. V11Ge8 does not dissolve any silicide. There are equilibria between V11Ge8, V5(Si,Ge)3 and a (Ge, Si)-solid solution. Silicon can be substituted by germanium in VSi2 up to 11 (1000°C homogenizing temperature). At this temperature the so called digermanide (V17Ge31) does not occur after a short anneal.
Mit 1 Abbildung |
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