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大功率半导体激光器远场特性研究
引用本文:李丽娜,吴金辉,宋俊峰.大功率半导体激光器远场特性研究[J].发光学报,2004,25(1):95-97.
作者姓名:李丽娜  吴金辉  宋俊峰
作者单位:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033
基金项目:国防科技重点实验室基金资助项目 ( 0 0JS3 6 4 1ZK410 1)
摘    要:由于半导体激光器输出光束的不对称性,使得它在许多应用过程中必须采用特殊的光学系统进行光束整形。在设计光学系统的光学元件及进行光学耦合时需要了解激光器的远场特性。通过用量子阱激光器的解理面上的边界条件解亥姆霍兹方程,获得关于远场强度分布、光束散角,并用计算机给出各种理论曲线及数据。用自行设计制作的测试装置测量,获得激光器的远场分布曲线给出了测试数据。计算机给出的理论远场分布曲线与实验测试获得的远场分布曲线完全一致。

关 键 词:大功率半导体激光器  光束质量  远场特性
文章编号:1000-7032(2004)01-0095-03
修稿时间:2003年3月11日

Far-field Characteristics of High Power Laser Diode
LI Li-na,WU Jin-hui,SONG Jun-feng.Far-field Characteristics of High Power Laser Diode[J].Chinese Journal of Luminescence,2004,25(1):95-97.
Authors:LI Li-na  WU Jin-hui  SONG Jun-feng
Abstract:
Keywords:high power laser diode  beam quality  far-field characteristics
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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