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| 0.35μm SiGe BiCMOS工艺Colpitts振荡器分析与设计 | |
| 引用本文： | 郭雪锋,王志功,李智群.0.35μm SiGe BiCMOS工艺Colpitts振荡器分析与设计[J].固体电子学研究与进展,2008,28(1):129-132. |
| 作者姓名： | 郭雪锋 王志功 李智群 |
| 作者单位： | 东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096 |
| 摘 要： | 应用标准0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计Colpitts压控振荡器。采用开环S参数计算电路指标,计算结果与测量结果符合较好。测量结果表明,在3.3V电源电压下,压控振荡器的频率范围覆盖340~400MHz,10kHz频偏处相位噪声为-91dBc/Hz,输出功率-3dBm。芯片面积550μm×300μm。 |
| 关 键 词： | 压控振荡器 锗硅 S参数 相位噪声 |
| 文章编号： | 1000-3819(2008)01-129-04 |
| 修稿时间： | 2007年4月13日 |
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