| α-SiC (1010)表面结构的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 谢长坤,徐彭寿,徐法强,潘海斌.α-SiC (1010)表面结构的第一性原理计算[J].物理学报,2002,51(12):2804-2811. |
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| 作者姓名： | 谢长坤 徐彭寿 徐法强 潘海斌 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥,230026;中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029
2. 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目，中国科学技术大学校科研和校改项目 |
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| 摘 要： | 用全势缀加平面波方法（FPLAPW）计算了α-SiC及其非极性（101^-0）表面的原子与电子结构。计算出的α-SiC晶体结构：晶格常量和体积弹性模与实验值符合得很好。用平板超原胞模型来计算α-SiC（101^-0）表面的原子与电子结构，结果表明表面顶层原子发生键长收缩并扭转的弛豫特性，表面阳离子Si,C向体内方向发生不同程度的位移。表面重构的机理为Si,C原子由原来的sp^3杂化方式退化为sp^2杂化，与其三配位异种原子近似以平面构型成键。另外，表面弛豫实现表面由半金属性至半导体性的转变。
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| 关 键 词： | 表面结构 第一性原理计算 碳化硅 FPLAPW方法 电子结构 全势缀加平面波方法 半导体材料 |
First-principles study on α-SiC (1010) surface structure |
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