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| 锗硅量子阱结构带间吸收边研究 | |
| 作者姓名： | 黄仕华 |
| 作者单位： | 1.浙江师范大学物理系,浙江,金华,321004 |
| 摘 要： | 利用光电流谱的方法对锗硅量子阱结构的带间吸收边进行了研究.实验观察到了在不同的偏压和温度下,锗硅量子阱结构的带间吸收边谱线发生了有规律的变化.通过对锗硅量子阱材料的光电流谱的带间跃迁吸收边的拟合,得到了硅导带到锗价带的能带宽度分别为1.043eV和1.050eV.随着外加电场的增强,带边的吸收曲线向低能方向移动.通过理论计算得到了带间跃迁吸收边的漂移量与外加电场的关系,并与实验吻合较好.随着温度的降低,带间吸收边向高能方向偏移,对于这一现象给出了定性的解释,并通过拟合得到了禁带宽度随温度的变化率. |
| 关 键 词： | 锗硅量子阱 光电流谱 带间吸收边 外加电场 |
| 收稿时间： | 2005-07-15 |
| 修稿时间： | 2005-07-15 |
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