在等离子体中镁离子谱线MgⅡλ4481的宽度和位移

本工作测量了MgIIλ4481(3~2D—4~2F)在电子数密度为7×10~(16)—3.1×10~(17)电子数/cm~3范围内的谱线轮廓和位移。采用振荡型电容放电作为光谱光源。在光源中引入水汽,由测量H_β谱线宽度来定电子数密度。观测结果指出,H_β的实验轮廓和Griem-Kolb-Shen的计算结果符合颇好。实验发现MgIIλ4481谱线向紫方位移,并正比于微观电场的平方;由此定出一个经验上的二级斯塔克效应常数C_4=5.0×10~(-14)cm~4/sec。该谱线的轮廓宽度和标准微观电场之间也有平方正比的关系。发现在本实验条件范围内,宽度和位移的比值γ/△ 保持为常数,其值为γ/△=10.4±0.6。 由于谱项4~2D的二级斯塔克效应的干扰而产生上能级4~2F位移的理论计算虽能说明谱线位移和微观电场间的平方正比关系,但数值偏小于实验结果,指出还有电子贡献的部分。把光谱线的宽度和Lindholm理论公式及Griem等的近似公式作了比较;简单的估计指出,实验结果和后者符合较好。