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籽晶垂直布里奇曼法生长大尺寸CdZnTe单晶体
引用本文:徐亚东,介万奇,王涛,刘伟华.籽晶垂直布里奇曼法生长大尺寸CdZnTe单晶体[J].人工晶体学报,2006,35(6):1180-1184.
作者姓名:徐亚东  介万奇  王涛  刘伟华
作者单位:西北工业大学材料科学与工程学院,西安,710072
基金项目:国家自然科学基金重点项目(No.50336040)
摘    要:采用改进的垂直布里奇曼(MVB)法并引入籽晶生长技术,成功生长出直径60mm,单晶体积超过200cm3的CdZeTe(CZT)晶锭.根据CZT 晶片在近红外(NIR)波段的透过谱,由截止波长推算Zn组分在晶片中的平均含量,进一步的拟合得出晶体生长过程Zn沿晶锭轴向分凝因数约为1.30;分析了晶片在中红外波段内的红外透过率,发现波数在2000~4000cm-1内透过率平直且较高,超过60;,而从2000cm-1到500cm-1随波数的减小透过率急速下降至零;由钝化后的Au/CZT晶片的I-V曲线,计算得到生长态CZT晶片的电阻率ρ达到1.8×109~2.6×1010Ω·cm.

关 键 词:CdZnTe  籽晶  垂直布里奇曼法  近红外光谱  
文章编号:1000-985X(2006)06-1180-05
收稿时间:06 26 2006 12:00AM
修稿时间:2006-06-26

Growth of Large-size CdZnTe Single Crystal Using Seeded Vertical Bridgman Method
XU Ya-dong,JIE Wan-qi,WANG Tao,LIU Wei-hua.Growth of Large-size CdZnTe Single Crystal Using Seeded Vertical Bridgman Method[J].Journal of Synthetic Crystals,2006,35(6):1180-1184.
Authors:XU Ya-dong  JIE Wan-qi  WANG Tao  LIU Wei-hua
Abstract:
Keywords:CdZnTe  seed  vertical Bridgman method  near infrared spectrum
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