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Determination of the stoichiometry of semiconductor systems of the type CdvHg1?vSe and CdxHg1?xTe by X-ray fluorescence spectrometry
Authors:Krystyna Schreiber-Pawlak  W Reichert and C Freiburg
Institution:(1) Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Warsaw;(2) Central Institute of Analytical Chemistry, Nuclear Research Establishment (KFA), Jülich, FRG
Abstract:Summary Semiconductors of the composition Cd v Hg1–v Se and Cd x Hg1–x Te are gaining growing industrial interest. The energy gap between the bands of such systems depends significantly on the magnitude of the mole fractions v and x. X-ray fluorescence analysis of acid solutions of these crystals is a simple and precise procedure to determine the stoichiometry. Sample preparation, calibration series and results are discussed.
Bestimmung der Stöchiometrie von Halbleitersystemen des Typs CdvHg1–vSe und CdxHg1–xTe, durch Röntgenfluorescenz-Spektrometrie
Zusammenfassung Halbleiter der Typen Cd v Hg1–v Se und Cd x Hg1–x Te gewinnen zunehmend industrielles Interesse. Der Energieabstand der Bänder in solchen Systemen hängt entscheidend von der Größe der Molenbrüche v und x ab. Ein einfaches und sicheres Analysenverfahren zur Ermittlung der Stöchiometrie ist die Röntgenfluorescenzanalyse von sauren Lösungen dieser Kristalle. Die Probenvorbereitung, Eichreihen und Resultate werden diskutiert.
Delegated to Central Institute of Analytical Chemistry, Nuclear Research Establishment (KFA), Jülich, FRG.
Keywords:Best  der Stö  chiometrie von Halbleitern    ntgenfluorescenz-Spektrometrie  Cd-Hg-Se  Cd-Hg-Te
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