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内调制光电探测器光生电压的模型分析
引用本文:吴凡,黄启俊,常胜,王豪,孙平,梁韶华. 内调制光电探测器光生电压的模型分析[J]. 武汉大学学报(理学版), 2007, 53(1): 89-92
作者姓名:吴凡  黄启俊  常胜  王豪  孙平  梁韶华
作者单位:1. 武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072
2. 武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072;钦州师范高等专科,物理学院,广西,钦州,535000
基金项目:国家科技型中小企业技术创新基金;国家自然科学基金
摘    要:针对栅压对内调制光电探测器耦合区的影响,以及横向发生的抽取效应对受光结的影响,从描述探测器的泊松方程、电流方程和连续性方程出发,通过计算输出电流Id,得出了内调制光电探测器受光结光生电压Vop,与栅压Vg的函数关系式,并依此建立了模型,该模型与实验结果基本吻合.由于该模型采用了电路形式,可以用PSPICE等软件进行模拟,这为研究内调制光电探测器的内部性质提供了理论基础.

关 键 词:内调制  光生电压  抽取效应  模拟
文章编号:1671-8836(2007)01-0089-04
修稿时间:2006-03-15

Simulation and Experimental Analysis of Photovoltaic Voltage for Intramodulated Photodetector
WU Fan,HUANG Qijun,CHANG Sheng,WANG Hao,SUN Ping,LIANG Shaohua. Simulation and Experimental Analysis of Photovoltaic Voltage for Intramodulated Photodetector[J]. JOurnal of Wuhan University:Natural Science Edition, 2007, 53(1): 89-92
Authors:WU Fan  HUANG Qijun  CHANG Sheng  WANG Hao  SUN Ping  LIANG Shaohua
Abstract:In the article,deduced from the Possion Equation,current equations and continuity equations,the function between photovoltaic voltage Vop and gate voltage Vg is obtained.It is fairly good according to experimental results.Through analyzing the effects of the gate voltage and transverse extraction on the illuminated PN junction,a model of intramodulated photodetector is built.
Keywords:intramodulation  photovoltaic voltage  extraction effect  simulation
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