| SiO2阻挡层对电子束沉积法生长高迁移率IWO薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 任世荣,陈新亮,张存善,孙建,张晓丹,耿新华,赵颖. SiO2阻挡层对电子束沉积法生长高迁移率IWO薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(4): 843-847 |
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| 作者姓名： | 任世荣 陈新亮 张存善 孙建 张晓丹 耿新华 赵颖 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071;河北工业大学信息工程学院,天津300130;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071;河北工业大学信息工程学院,天津,300130 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(No.2011CBA00705,2011CBA00706&2011CBA00707); 天津市应用基础及前沿技术研究计划(No.09JCYBJC06900); 中央高校基本科研业务费专项资金项目(No.65010341) |
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| 摘 要： | 利用电子束沉积技术在玻璃衬底上制备了IWO( In2O3∶WO3)薄膜和SiO2缓冲层,并将SiO2缓冲层对IWO薄膜性能的影响作了探究.SiO2缓冲层在室温生长.SIMS测试表明:SiO2缓冲层能有效阻挡浮法玻璃中的杂质进入到IWO薄膜.实验获得的具有SiO2阻挡层的IWO薄膜的电子迁移率μ～54.5 cm2·V-1·s-1,电阻率p ～5.86×10-4Ω,cm,电子载流子浓度n～ 1.95×1020 cm-3,400～1600nm砌光谱区域内的平均透过率～76;.
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| 关 键 词： | 电子束沉积技术 SiO2阻挡层 IWO薄膜 高迁移率, |
Effects of SiO_2 Buffer Layer on the Properties of High Mobility IWO Thin Films Grown by Electron Beam Deposition |
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| REN Shi-rong,CHEN Xin-liang,ZHANG Cun-shan,SUN Jian,ZHANG Xiao-dan,GENG Xin-hua,ZHAO Ying. Effects of SiO_2 Buffer Layer on the Properties of High Mobility IWO Thin Films Grown by Electron Beam Deposition[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(4): 843-847 |
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| Authors: | REN Shi-rong CHEN Xin-liang ZHANG Cun-shan SUN Jian ZHANG Xiao-dan GENG Xin-hua ZHAO Ying |
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| Affiliation: | REN Shi-rong1,2,CHEN Xin-liang1,ZHANG Cun-shan2,SUN Jian1,ZHANG Xiao-dan1,GENG Xin-hua1,ZHAO Ying1 (1.Institute of Photo-electronic Thin Film Devices and Technology,Tianjin Key Laboratory of Photo-electronic Thin Film Devices and Technology,Key Laboratory of Opto-electronic Information Science and Technology for Ministry of Education,Nankai University,Tianjin 300071,China,2.School of Information Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China) |
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