| ZnSe和Cr∶ ZnSe单晶的温梯法制备及光学性能研究 |
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| 引用本文： | 张浩,李琳,宋平新,张迎九,冷雨欣,许毅,董永军.ZnSe和Cr∶ ZnSe单晶的温梯法制备及光学性能研究[J].人工晶体学报,2011,40(4):848-852. |
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| 作者姓名： | 张浩 李琳 宋平新 张迎九 冷雨欣 许毅 董永军 |
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| 作者单位： | 郑州大学物理工程学院,郑州,450052;中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室,上海,201800 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.60708021); 上海基础研究重点项目(No.09JC1414900); 上海光技术专项(No.09DZ1142000);上海光技术专项(No.10DZ1140400) |
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| 摘 要： | 采用温度梯度法(TGT)生长了直径为32 mm大尺寸ZnSe晶体.对生长出的ZnSe单晶进行了光学性能分析.采用磁控溅射方法在ZnSe晶体上镀铬膜,通过热扩散方法成功制备出中红外Cr∶ ZnSe激光晶体,并研究了Cr∶ZnSe晶体的光谱性能.吸收光谱测试观察到了Cr2+(3d4)取代四面体配位Zn2的5T2→5E能级的跃迁在1800nm的吸收带.77 K低温的光致发光光谱表明Cr∶ ZnSe晶体具有中心波长位于2.2 μm的宽谱带发射特征.
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| 关 键 词： | ZnSe Cr∶ZnSe 温度梯度法(TGT) 中红外 |
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