| 一种高线性度非对称单刀双掷开关的设计 |
| |
| 引用本文： | 王亦凡,桂小琰,王兴华,陈志铭.一种高线性度非对称单刀双掷开关的设计[J].微电子学,2015,45(5):634-638. |
| |
| 作者姓名： | 王亦凡 桂小琰 王兴华 陈志铭 |
| |
| 作者单位： | 北京理工大学 微电子技术研究所, 北京 100081,北京理工大学 微电子技术研究所, 北京 100081,北京理工大学 微电子技术研究所, 北京 100081,北京理工大学 微电子技术研究所, 北京 100081 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61201040,6)；高等学校学科创新“引智计划”资助项目(B1410) |
| |
| 摘 要： | 介绍了一种用于射频收发系统的16 GHz、低损耗、高隔离度、高线性度的非对称型单刀双掷开关。针对串联和并联晶体管尺寸对插入损耗及隔离度的影响、对称型和非对称型两种结构各自的特点,以及选择非对称结构的原因进行了分析。采用90 nm CMOS工艺实现,设计中采用深N阱MOS管,并在必要的节点加入交流悬浮偏置,提高开关整体性能。测试表明,Rx模式下,插损为0.77 dB,隔离度为22.9 dB,输入1 dB压缩点为9 dBm；Tx模式下,插损为2.14 dB,隔离度为20.2 dB,输入1 dB压缩点大于15 dBm。
|
| 关 键 词： | 射频集成电路 单刀双掷开关 非对称 高线性度 |
| 收稿时间： | 2014/8/21 0:00:00 |
|
| 点击此处可从《微电子学》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《微电子学》下载免费的PDF全文 |
|
