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| 光电子学与光电子产业专题系列介绍 量子阱电光调制器和光开关 | |
| 引用本文： | 朱龙德. 光电子学与光电子产业专题系列介绍 量子阱电光调制器和光开关[J]. 物理, 1992, 21(7). |
| 作者姓名： | 朱龙德 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京100083 |
| 摘 要： | 讨论了半导体量子阱中量子限制Ｓｔａｒｋ效应（ＱＣＳＥ）──垂直于量子阶层而的电场下吸收边的红移现象．由于这个效应，量子阱材料吸收边附近的光学常数受电场调制，其调制率比体村料大得多．利用吸收系数的变化可以制作光强度调制器和光开关，利用折射率的变化可以制作光相位调制器和光开关．这些器件因其工作电压低、调制率高、插入损耗小、功耗小，可以和其他光器件单片集成，在光通信和光信息处理技术中有实用价值．也讨论了半导体超晶格中Ｗａｎｎｉｅｒ－Ｓｔａｒｋ局域化效应，它引起超晶格吸收边的兰移，这一效应也可用于制作光调制器和光 |
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