|
|||||
|
|
| 在多晶Al2O3衬底上化学气相沉积MgB2超导薄膜 | |
| 引用本文： | 张正平,王殿生,傅兴华,杨健.在多晶Al2O3衬底上化学气相沉积MgB2超导薄膜[J].低温物理学报,2002,24(3):173-178. |
| 作者姓名： | 张正平 王殿生 傅兴华 杨健 |
| 作者单位： | 1. 浙江大学信息与电子科学系,杭州,310027;贵州大学物理与电子科学系,贵阳,550025 2. 石油大学(华东)应用物理系,山东东营,257061;贵州大学物理与电子科学系,贵阳,550025 3. 贵州大学物理与电子科学系,贵阳,550025 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，贵州省自然科学基金，贵州省省长基金，60176019，993033，，，， |
| 摘 要： | 报道了制备MgB2超导薄膜的一种新方法和测量结果，MgB2超导薄膜的制备采用的是两步异位退火方法，但在现有报道的方法不同的是，制备硼（B）先驱膜采用的是化学气相沉积方法，在460℃温度下热分解乙硼烷（B2H6）沉积的，然后镁（Mg）蒸气中分别在730℃、780℃和830℃条件下退火，生成MgB2超导薄膜，扫描电子显微镜观察表明制备薄膜是多晶的，MgB2晶料小于2μm。X衍射分析发现所生长的薄膜是随机取向的。800℃条件下退火生成的MgB2超导薄膜起始转变温度和零电阻温度分别达到35K和24K，结果表明，采用B2H6热分解化学气相沉积B先驱膜的方法在优化的沉积条件和退火条件下可制备高质量的MgB2超导薄膜，我们这种化学气相沉积MgB2超导薄膜方法在大面积的MgB2超导薄膜制备方面较脉冲激光沉积方法具有优势，并且与现有的半导体工艺技术相兼容，有利用实现MgB2超导薄膜在电子器件方面的应用。 |
| 关 键 词： | 多晶Al2O3衬底 MgB2 超导薄膜 二硼化镁 化学气相沉积 超导电性 生长 |
| 修稿时间： | 2002年2月25日 |
PREPARATION OF SUPERCONDUTING MgB2 FILMS ON Al2O3 POLYCRYSTALLINE SUBSTRATES BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |