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| 3d金属离子Bi位替代对新型层状超导体Bi_4O_4S_3超导电性的影响 | |
| 引用本文： | 彭香连,尹训庆,冯振杰,黎杰,孙瑞,鲁波,康保娟,张金仓.3d金属离子Bi位替代对新型层状超导体Bi_4O_4S_3超导电性的影响[J].低温物理学报,2014(6). |
| 作者姓名： | 彭香连 尹训庆 冯振杰 黎杰 孙瑞 鲁波 康保娟 张金仓 |
| 作者单位： | 上海大学理学院;上海大学微结构重点实验室; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:10904088);上海市浦江人才计划(批准号:13PJD015)资助课题~~ |
| 摘 要： | 文章报道了3d金属离子X(X=Fe3+,Co3+,Mn4+)少量掺杂对新近发现的超导体Bi4O4S3结构及超导电性的影响.粉末X射线衍射数据表明,少量3d金属离子X的掺杂对晶格结构几乎没有影响.观察发现随着掺杂离子X半径的减少,超导转变宽度△Tc变窄,也就是少量3d金属离子X的掺入提高了Bi4O4S3的超导电性.3d金属离子X的部分掺入提高了Bi4O4S3超导转变温度是一个非常值得关注的现象. |
| 关 键 词： | BiOS 超导电性 Bi位替代 磁性离子掺杂 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |