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Cu掺杂ZnO薄膜的结构及发光特性
引用本文:蒋敏,吴定才,魏琴,刘方舒,吴艳南,张佩佩,纪红萱,徐明. Cu掺杂ZnO薄膜的结构及发光特性[J]. 半导体光电, 2010, 31(2)
作者姓名:蒋敏  吴定才  魏琴  刘方舒  吴艳南  张佩佩  纪红萱  徐明
作者单位:四川师范大学,物理与电子工程学院&固体物理研究所,成都,610068;攀枝花学院,材料工程系,四川,攀枝花,617000
摘    要:采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了不同Cu掺杂量的ZnO薄膜。用显微镜和X射线衍射(XRD)研究了Cu掺杂对ZnO薄膜形貌和微结构的影响。结果表明,制备得到的ZnO薄膜具有应变小和c轴择优取向。室温下测量了样品Zn1-xCuxO的光致发光(PL)谱,发现所有样品的PL谱中均观察到435nm左右的蓝光发光带,发光带强度与Cu的掺杂量有关;当x=0.06时,Zn1-xCuxO薄膜的PL谱中出现了较强的蓝光发射。分析了掺杂量对发光性能的影响,并对样品的发光机制进行了探讨,推断出蓝光峰来源于电子由导带底到锌空位(VZn)能级的跃迁及锌填隙(Zni)能级到价带顶的跃迁,它们可通过改变Cu的掺杂量予以控制。

关 键 词:Zn1-xCuxO薄膜  溶胶-凝胶  Cu掺杂  光致发光

Synthesis and Photoluminescence of Cu-doped ZnO Thin Films
JIANG Min,WU Dingcai,WEI Qin,LIU Fangshu,WU Yannan,ZHANG Peipei,JI Hongxuan,XU Ming. Synthesis and Photoluminescence of Cu-doped ZnO Thin Films[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2010, 31(2)
Authors:JIANG Min  WU Dingcai  WEI Qin  LIU Fangshu  WU Yannan  ZHANG Peipei  JI Hongxuan  XU Ming
Affiliation:1. Institute of Solid State Physics & School of Physics and Electronic Engineering;Sichuan Normal University;Chengdu 610068;CHN;2. School of Material Engineering;Panzhihua University;Panzhihua 617000;CHN
Abstract:
Keywords:Zn1-xCuxO thin films  sol-gel  Cu doping  photoluminescence  
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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