| 掩埋隧道结在长波长VCSEL结构中的应用 |
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| 引用本文： | 刘成,吴惠桢,劳燕锋,黄占超,曹萌.掩埋隧道结在长波长VCSEL结构中的应用[J].半导体学报,2006,27(z1):309-313. |
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| 作者姓名： | 刘成 吴惠桢 劳燕锋 黄占超 曹萌 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100049,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用气态源分子束外延技术在InP(100)衬底上分别生长了δ掺杂的p -AlIn-As-n -InP和p -InP-n -InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p -AlInAs-n -InP隧道结性能优于p -InP-n -InP隧道结.在InP(100)衬底上生长了包含p -AlInAs-n -InP掩埋隧道结和多量子阱有源层的1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构,测试得出其开启电压比普通的pin结VCSEL小,室温下其电致发光谱波长为1.29μm.
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| 关 键 词： | 隧道结 垂直腔面发射激光器 光电特性 掩埋 隧道结结构 长波长 VCSEL 应用 Structure Tunnel Junction 光谱波长 室温 电压比 测试 面发射激光器 垂直腔 有源层 多量子阱 性能 发现 电学特性 载流子浓度 表征 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0309-05 |
| 修稿时间： | 2005年11月16日 |
Application of Buried Tunnel Junction in Long-Wavelength VCSEL Structure |
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| Liu Cheng,Wu Huizhen,Lao Yanfeng,Huang Zhanchao,Cao Meng.Application of Buried Tunnel Junction in Long-Wavelength VCSEL Structure[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(z1):309-313. |
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| Authors: | Liu Cheng Wu Huizhen Lao Yanfeng Huang Zhanchao Cao Meng |
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