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| GaAs高-低IMPATT二极管的掺杂分布和伏安特性分析 | |
| 引用本文： | 俞冠高,金立荣,张崇仁.GaAs高-低IMPATT二极管的掺杂分布和伏安特性分析[J].半导体学报,1981,2(4):307-316. |
| 作者姓名： | 俞冠高 金立荣 张崇仁 |
| 作者单位： | 南京固体器件研究所 (俞冠高，金立荣)，南京固体器件研究所(张崇仁) |
| 摘 要： | 由于多层外延材料浓度和厚度的不均匀性,实验二极管的击穿电压V_B有较大的差别.为此对给定的掺杂分布进行V_B、耗尽宽度及电场的分析和计算.从实验中找到室温下掺杂分布和伏安特性之间的对应关系.实际选择管芯时,应根据击穿电压值和大电流下的伏安特性曲线进行挑选.这种挑选管芯的方法已在器件批量生产中应用. |
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