双漂移(P~+PNN~+)雪崩二极管的计算机辅助分析

本文报道了8mm硅双漂移雪崩二极管的计算机计算结果,并把双漂移器件与单漂移(P~+NN~+型)器件进行了比较,从而证实双漂移器件在输出功率和效率等方面都具有优越性,同时还研究了掺杂分布、温度、直流偏置和高频调制电压对器件特性的影响。本文为设计毫米波段双漂移雪崩二极管振荡器和放大器提供了理论数据。